氮化镓基紫外与深紫外LED关键技术
获奖分类: 国家科技进步奖
获奖名称: 氮化镓基紫外与深紫外LED关键技术
获奖年份: 2015
获奖级别: 二等奖
主要完成单位: 西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、三安光电股份有限公司、青岛杰生电气有限公司、西安中为光电科技有限公司
主要完成人: 郝跃、李培咸、林科闯、李晋闽、张国华、王军喜、马晓华、闫建昌、蔡伟智、高英
成果简介:
该技术提出创新的表面增强脉冲反应生长方法、脉冲超晶格p型掺杂方法和纳米微腔器件结构，解决了材料生长、掺杂和紫外光提取效率等重大难题，获得中国和美国发明专利授权 22 项，在信息产业、装备制造、国家安全、医疗健康等领域具有广泛应用前景。
