在Cu触桥表面制备一层Ag-Sn02涂层形成Ag-Sn02电接触涂层/Cu触桥组合件，不仅可以满足各类开关电器对触头合金形状的多样化要求，同时解决了常规方法制备Ag-Sn02触头合金时后续大变形加工困难的问题，并提高了制备效率。基于此研究思想，本项目拟采用真空等离子喷涂技术在Cu触桥表面制备纳米Ag-Sn02涂层，利用掺杂控制Sn02粉体的纳米结构，通过优化喷涂粉末制备工艺提高纳米Sn02颗粒在A基体中的分散性，同时研究第二相氧化物Sn02的纳米结构、数量和分布对涂层组织结构和性能的影响。采用瞬态温度场仿真模拟结合热循环试验、电接触试验两种手段，研究电弧热作用下纳米Ag-Sn02涂层与Cu触桥的界面行为以及涂层内部组织的变化规律，探讨纳米Ag-Sn02涂层的失效机制，为Ag-Sn02触头合金快速制备技术的研究奠定理论和技术基础。

本成果的研究目的及意义主要在于：1）在铜触桥表面制备高厚度、高结合强度及耐电弧侵蚀的纳米Ag-Sn02涂层以制得纳米Ag-Sn02电接触涂层/Cu触桥组合件，通过掺杂调控第二相氧化物Sn02纳米结构，并通过优化制粉和喷涂工艺，获得优良的涂层组织结构，为Ag-Sn02电接触合金快速制备技术的研究奠定理论和实验基础。

2）采用瞬态温度场仿真模拟结合热循环试验、电接触试验两种手段，研究纳米Ag-Sn02电接触涂层/Cu触桥组合件的界面行为以及涂层组织变化规律，揭示触头失效与制粉工艺、喷涂工艺、第二相氧化物Sn02的纳米结构及其数量和分布的内在关系，为纳米Agsn02涂层失效预测提供科学判据。