本项目建立了赝极化理论，指出晶粒--晶界二元系统M-W极化的物理本质在于晶粒电导赝极化，提出了本征极化与赝极化的鉴别方法。建立了晶粒--晶界二元系统精细介电谱理论，分析了晶粒、晶界直流电导的赝极化、本征极化沿频率轴的分布，发现晶界、晶粒直流电导的赝极化分别位于低频和高频，晶界电子陷阱弛豫位于中频。晶界赝极化作为整个系统的赝极化，其活化能对应于Schottky势垒高度。晶粒赝极化作为系统的M-W极化，活化能对应于氧空位的一价电离能0.1eV。晶界内的本征极化就是势垒边界电子陷阱弛豫，活化能对应于氧空位的二价电离能0.5eV。精细介电谱理论不仅揭示了CCTO巨介电常数的起源，明确指出了微观极化机制和极化机构，还揭示了本征点缺陷、电导、极化机制之间的内在联系。基于经典Debye理论，提出高损耗的起源在于CCTO的巨介电常数，指出了通过点缺陷调控实现介电损耗抑制的可能性，并通过Ca位掺杂使介电损耗降低至0.02。

通过以上研究，发表与本项目相关的论文11篇，SCI检索9篇，EI1篇，核心1篇。申请国家发明专利3项.