本发明公开了一种基于TiN/Cu/Ni栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管制作方法，主要解决现有同类器件成本高的问题。其制作过程为：在外延基片上制作源、漏电极和有源区电隔离，并生长SiN钝化层；在SiN钝化层上光刻并刻蚀栅槽区域；在栅槽和SiN钝化层上光刻栅电极区域，利用磁控溅射工艺依次淀积TiN肖特基接触层、Cu导电层和Ni保护层，剥离后形成TiN/Cu/Ni结构的栅电极；在栅电极和SiN钝化层上生长SiN保护层；在SiN保护层上光刻并刻蚀金属互联开孔区；在互联开孔区和SiN保护层上制作金属互联层，完成器件制作。本发明降低了栅极制作成本，提高了其可靠性，可用于制作高频大功率集成模块。