本发明公开了一种有机无机杂化卤化物钙钛矿半导体晶体的抛光方法，用于解决现有半导体晶体抛光方法实用性差的技术问题。

技术方案是将橡胶垫平铺于两个抛光盘上；将从溶液法长出的MAPbBr₃晶体放在第一个抛光盘上，在橡胶垫上喷WD?40抛光液1～3毫升，用手指画“8”字进行磨抛，对晶片两面分别抛光300～1000秒，之后立即用异丙醇冲洗；再将经过WD?40抛光后的晶体放在第二个抛光盘上，滴加抛光液异丙醇3～5ml，以同样的方法进行化学抛光，待晶体表面光滑、平整、无划痕时，磨抛完毕。

之后立即用异丙醇冲洗，高纯氮气吹干。

由于采用两种抛光液先后抛光，不会产生新的残留，实用性好。