“星用抗辐射单点故障隔离型译码器电路研制”项目主要是为解决卫星电子系统中，译码器电路因某点故障造成输出常高，导致卫星系统备份机无法启动，卫星在轨失控报废而开展的研制工作。

我所定制研制的星用抗辐射单点故障隔离型译码器电路，通过多路冗余设计、可靠性设计建立译码器设计方法；基于六英寸集成电路生产线，通过工艺仿真、关键单项工艺开发、工艺模块集成，建立稳定、可靠的抗辐射加固新型高压铝栅CMOS工艺技术。

本项目研制的星用抗辐射单点故障隔离型译码器电路产品主要技术性能如下： 1）可防止因设计和工艺单点故障导致的输出常高异常； 2）最大输入电压18V，工作电压可达15V； 3）输出具有大于等于4mA的驱动能力； 4）抗总剂量辐射能力：≥300krad（Si）； 5）抗静电能力：≥2000V； 6）抗单粒子闩锁能力（SEL）：≥75MeV.cm2/mg； 7）质量等级：CAST C； 8）采用D24和CSOP24两种封装形式，满足型号任务的多样化需求。

本项目的技术创新点有： 1）首次提出开发新型高压铝栅工艺，通过双阱工艺开发，整合高阻值多晶电阻工艺模块、高压复合栅介质结构工艺模块，建立了含高值多晶电阻的抗辐射高压铝栅CMOS工艺制造技术，从工艺技术上解决了该电路输出常高单点失效问题。

2）发明了一种双冗余译码驱动输出结构，通过输出PMOS晶体管两串两并及栅保护分压电阻线路结构，从电路结构上解决了该电路输出常高单点失效问题 本项目具有完全自主知识产权的产品，技术水平为国内领先。

本项目技术成熟，可适用于航天航空及武器装备的元器件选型。

2016年项目研制的译码器电路进入五院总体单位元器件优选目录，截至2017年底，签署订单共4550只，主要用户上海航天***厂、山东航天***所，电路成功应用于多款重点卫星型号任务，共创造经济效益约3000万元，目前该项目研制的产品无问题发生。

本项目目前无申报其他奖励。