（1）完成了高可靠性、高稳定性的终端结构的设计,仿真研究了场限环终端（FLRs）不同结构对于器件反向阻断特性的影响，并通过对比均匀分布FLRs与非均匀FLRs不同结构参数下的电场分布变化，分析了FLRs首环间距S1,环数Nr,场限环间距S，以及环宽Wr等因素对器件击穿特性的影响,最终得到拥有高终端结构效率的FLRs结构。
    （2）完成芯片关键加工工艺技术完成了器件制备过程的关键工艺技术，主要涉及的有欧姆接触开发工艺、肖特基接触开发工艺以及高温离子注入开发工艺，针对几项工艺展开实验研究。针对高压器件中存在的多次注入，杂质之间相互补偿、相互影响的特点，分析激活过程中所需的外在热力学条件，分析各种因素所起的不同作用，建立经验模型，结合理论研究的结果进行修正，优化工艺条件。
    （3）完成研制高压SiC功率器件芯片样品试制确定包括掺杂浓度、钝化膜厚度、刻蚀角度、终端结构等，设计工艺流程，制定器件工艺制备方案，利用L-Edit设计版图；完成设计器件制备全套工艺流程，在解决关键工艺的基础上，对单项工艺的宽容度、可靠性、兼容性进行深入研究，在完成各单项工艺模块的整合和优化的基础上，建立完整工艺流程，并通过实际的流片予以验证，实现项目指标要求。
    目标完成情况:通过对器件的外延结构、终端结构,正向压降及特征导通电阻等参数的设计，达到本项目的研制目标：
    （1）研制出高压碳化硅基JBS功率二极管样品（1200V 3300V级）器件达到反向额定击穿电压时漏电流小于100μA；
    （2）完成碳化硅基JBS功率二极管关键技术科技报告1份；
    （3）国内外重要刊物发表SCI论文5篇，申请国家发明专利3项。