随着技术的发展和市场的需求，需要开关速度更快的产品，基于市场导向，契合“节能降耗”的要求，华羿微电子股份有限公司开展低栅极电荷沟槽式大功率半导体器件芯片研发和产业化项目。低栅极电荷沟槽式功率MOSFET性能要求保证在低导通电阻的前提下，要求栅极电荷(Qg)也要低，这样既能降低导通损耗，又能提升开关速度，从而降低开关损耗，从而使整机的效率提升，体积变小。

利用电荷平衡理论，在有效减小功率MOSFET漂移区阻抗的同时，并不劣化器件的反向击穿阻断能力，并且同时减少器件的栅极电荷（Qg），相对与传统MOSFET器件，Rdson可以降低60%左右，器件的栅极电荷（Qg）降低在30%左右，同时不断的优化工艺技术，使器件的单胞不断缩小，而减低Rdson和Qg。

通过本项目的实施，将拓展开发出拥有自主知识产权的芯片设计、工艺技术，逐步打破国际垄断，降低产业成本，节能降耗，提升企业竞争力。