技术领域

本成果属于电力电子技术领域，适用于大功率半导体全控器件，应用于采用新型集成化门极驱动控制结构的IGCT系统。

背景技术

伴随着我国经济结构的调整，国家大力提倡绿色、环保的电能消费革新，其中电力电子器件的发展至关重要。IGCT（集成门极换流晶闸管）是一种中高压的全控型半导体开关器件，具有开关频率高、通态压降小、通断控制简单、无需缓冲电路等优点，被广泛运用于舰船驱动，热电机组，风电变流器，电池储能系统，固态断路器，智能电网等，有着较好的应用前景。IGCT主要由GCT芯片和驱动电路两部分构成。驱动电路的关键部分集成于封装后的GCT芯片的门极和阴极之间，在器件开通和关断时提供强触发电流脉冲，从而实现IGCT的开关控制。