二硼化锆因具有高熔点(3245℃)、高硬度(22GPa)、低热膨胀系数(5 .9×10‑6℃‑1)和低电阻率(4 .6μΩ·cm)等优点，可用作高温结构陶瓷材料、薄膜材料、复合材料、电极材料等。常用的ZrB2薄膜的制备方法为化学气相沉积(CVD)法和磁控溅射技术。然而，利用CVD制备的ZrB2薄膜因具有较高含量的C和O元素而具有较高的电阻率，且内部结构较疏松，影响其使用性能。相比于CVD方法，磁控溅射技术是一种更具应用前景的沉积方法，具有薄膜表面平整、结合力好、厚度均匀、结构致密、可控性更高的特点。

   但是在磁控溅射制备ZrB2薄膜过程中，Zr与B都对O原子具有极强的亲和力，导致所制得的薄膜容易被氧化，更倾向于生成ZrO2和B2O3，而非具有化学计量比的ZrB2，且ZrO2与ZrB2具有不同的晶体结构，电阻率高，显著影响了二硼化锆薄膜的电学特性。

    本发明提供一种金属掺杂二硼化锆薄膜及其制备方法，以金属靶和ZrB2复合靶作为靶材，通过磁控溅射方法在硅基底上沉积金属元素掺杂的ZrB2薄膜；所述金属元素为比Zr和B更容易被氧化的金属。本发明采用磁控共溅射技术在ZrB2薄膜中引入容易吸氧的金属元素，从而降低氧对ZrB2薄膜的影响，使Zr、B原子比例趋近化学计量比，避免生成ZrO2和B2O3，调整薄膜的结晶度，改变了薄膜的化学成分和微观结构，降低了薄膜中的O含量，降低了薄膜电阻，实现薄膜组分和微观组织结构的可控制备。