本发明公开了一种增强型AlGaN/GaNHEMT器件的实现方法，它涉及微电子技术领域。该实现方法成本低，工艺简单，重复性好，可靠性高，对材料损伤小，可以获得高阈值电压以及纳米级有效沟道长度的增强型HEMT器件。本发明通过在AlN成核层和GaN外延层生长之后，在二次GaN外延层和AlGaN层生长之前，采用刻蚀台面的方法，使台面侧面上的异质结材料沿着非极化方向生长，从而极大的减弱了台面侧面上的异质结材料中的二维电子气密度。这样，将器件的栅极制作在台面的侧面上，当栅极上没有加电压时，导电沟道不会导通或者弱导通；当栅极上外加一定正偏压时，导电沟道导通。本发明可用于高温高频大功率场合、大功率开关以及数字电路中。