本发明公开了一种用氧化物填充扩展沟槽栅超结MOSFET及其制造方法，包括沟槽型的多晶硅栅极、栅氧化层及栅氧化层两侧的p-Well区，p-Well区内设置有n⁺源区；多晶硅栅极的正下方设有扩展沟槽，槽内有填充氧化物；在填充氧化物的两侧、两个p-Well区的正下方依次设置有两个相同宽度的n柱区与两个相同宽度的p柱区。两侧的n柱区与p柱区都以填充氧化物为对称，且n柱区与柱区p及填充氧化物区的厚度相同，p柱区与n柱区及填充氧化物的下面设置有一层硅衬底。其中，n柱区是采用小角度注入形成的。本发明沟槽栅超结MOSFET结构，提高了器件的击穿电压，降低了导通电阻，减小了输入电容和输出电容，使得器件的总功耗降低，并简化了制造工艺。