金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）目前广泛应用在照明、消费电子、汽车电子、通信IT以及新能源领域，未来几年中国功率MOSFET市场的发展速度将高于全球市场。超结MOSFET是典型的适应高效节能应用需求的新一代功率半导体器件，其器件损耗远低于传统平面型MOSFET器件。项目创新点：使用创新的深沟槽刻蚀技术与填充单项工艺技术来设计开发超结MOSFET器件，采用特有的版图结构设计方案与氧化物填充深沟槽的刻蚀工艺，实现了其独有的导通电阻小、低功耗以及相同导通电阻下器件面积小的技术优势，同时也解决了功率半导体器件理论领域高击穿电压和低导通电阻的矛盾。本项目开发的超结MOSFET器件产品性能指标达到了国际先进水平，大幅提升了电能变换的效率，符合能源技术发展的绿色环保趋势。同时超结技术也代表了功率半导体器件技术的最新发展趋势，目前超结MOSFET市场基本还是由国际半导体巨头企业所垄断，本项目的市场定位即是开发出性能指标与国际品牌相当同时具有更高性价比的超结MOSFET器件产品，打破国际企业的技术垄断与市场垄断，推动国内半导体行业上下游企业实现联动发展。项目将在2年左右实现产业化。本项目产品为500-700V/4-20A系列高压大功率超结MOSFET，优先开发成功的是市场需求量较大、性能价格比最好的650V/20A规格。本项目采用深度沟槽填充的版图布局和工艺过程来制作超结MOSFET。项目完成时，以中间功率型号规格LSC11N65考核，其栅源电压达到±20V，通态电阻达到0.2Ω，阀值电压2.5-3.5V，漏源漏电流1μA，脉冲测试tp≤350μs,δ≤2%。