（1）获得SiC MOSFET驱动中集成ZVS/ZCS技术的设计方法，降低SiC MOSFET功率器件的开关功耗。建立SiC MOSFET驱动电路过冲电流抑制机制，在高速开关工作条件下保护电路系统。获得SiC MOSFET功率开关的整体设计方法，使SiC MOSFET功率器件能够在高速开关的条件下稳定低功耗的工作。

（2）在SiC MOSFET已有驱动保护研究的基础上，针对SiC MOSFET超高速应用驱动（100kHz-1MHz）进行了设计优化，并针对SiC MOSFET高速开关下的DESAT检测及过流保护进行了改善，将过流保护结合栅极过欠压保护，对故障状态进行锁存和计数，提升高速开关中故障检测的抗干扰能力。

（3）获得SiC MOSFET功率器件串并联模块实现方法，分别设计了SiC MOSFET串联和模块的新型结构，可以保证并联器件动态均流和串联器件动静态均压。

（4）在国内重要刊物上发表学术论文2篇，申请专利2项，提供理论研究报告。培养博士研究生1人，硕士研究生2人。

论文：

[1]Yuan L, Song Q W, Tang X Y, et al. 4H-SiC monolithic Darlington transistors with slight current gain drop at high collector current density. Sci China Tech Sci, 2018, 61,https://doi.org/10.1007/s11431-017-9208-4。

[2]Xuchao Jiang, Yimeng Zhang, Qingwen Song, Xiaoyan Tang. A 1MHz Gate Driver for Parallel Connected SiC MOSFETs with Protection Circuit.WiPDA 2018

专利：

[1]授权专利：一种多路 LED 恒流驱动电路,专利号： 201610367582.6

[2]申请专利：“电压平衡电路” 申请号： 201710695649.3