一、研究内容及创新点：

基于氮化镓的第三代半导体器件是新一代移动通信、雷达、空间通讯的核心技术，然而采用传统结构和工艺的氮化镓器件仅能获得50%的效率，远低于其理论最高转换效率。该项目通过器件新结构、新工艺、新方法的持续创新，系统突破并解决了该难题。发明了新型复合绝缘栅结构，设计了低损伤凹槽刻蚀工艺方案，突破了高质量绝缘栅界面及高效率氮化镓HEMT器件研制的国际难题，达到了73%（2011年）和85%（2015年）的微波功率附加效率；发明了新型浮空场板结构，显著提高了器件的在高工作电压下的效率；建立了针对氮化镓器件的高效率大功率合成技术。自主研发的宇航用氮化镓功率器件，C波段40W输出功率下效率达到70%，X波段100W输出功率下效率达到47%，性能达到国际先进水平。

二、知识产权情况：

获发明专利40项；发表学术论文51篇，相关创新被国际同行评价为“为高效率氮化镓器件指明了方向，引领着高效率氮化镓微波功率器件的发展”。

三、实施应用情况：

自主研制的高效率器件已进行技术转移和批量化生产，产品性能达到国际同类最高水平。在多个航天领域进行了应用，性能优异，促进了我国卫星测控与通讯等领域核心技术的发展。该项目核心成果已经占领相关领域的技术制高点，将推动我省第三代半导体功率器件产业实现跨越式发展。