本项目所属军用半导体集成电路设计与制造技术领域。

本项目的技术创新点有：1.首次提出开发新型高压铝栅工艺，通过双阱工艺开发，整合高阻值多晶电阻工艺模块、高压复合栅介质结构工艺模块，建立了含高值多晶电阻的抗辐射高压铝栅CMOS工艺制造技术，从工艺技术上解决了该电路输出常高单点失效问题；2.发明了一种双冗余译码驱动输出结构，通过输出PMOS晶体管两串两并及栅保护分压电阻线路结构，从电路结构上解决了该电路输出常高单点失效问题；

本项目创新点授权实用新型专利1项，集成电路布图1项。

本项目具有完全自主知识产权的产品，技术水平为国内领先。星用抗辐射单点故障隔离型译码器电路解决了单点失效引起电路输出常高问题，消除了因单点失效引起卫星功能失效，造成整星报废的隐患。2016年项目研制的译码器电路进入五院总体单位元器件优选目录，截至2017年底，签署订单共4550只，主要用户上海航天539厂、山东航天513所，电路成功应用于多款重点卫星型号任务，共创造经济效益约1000万元。