项目
项目名称: Ⅲ族氮化物365nm紫外芯片研发
项目编号: 2015KTCQ01-006
项目年份: 2015
项目类别: 战略新兴产业重大产业群
项目成员: 李培咸
所属领域: 工业类
承担单位: 西安中为光电科技有限公司
项目经费(万元): 40
项目创新: 在外延生长时采用Ｐ型δ掺杂技术和Ｐ型超晶格生长技术来挺高载流子的浓度和迁移率，从而提升紫外LED的发光效率。
项目简介:
项目针对目前紫外LED在照明市场及其他应用领域的发展趋势，开展365nm波段紫光LED外延与芯片关键技术研究， 通过研究找到合理的生长参数，从而提高紫外LED外延层的结晶质量。
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